| DDR4代内存最新技术解读 |
| 作者： 出处：创虹绣花网 更新时间： 2011年03月21日 |
三星电子公司宣布在上个月，已经完成了业界第一个DDR4内存模块的研发工作，并且使用30nm制程技术完成制作出样品。新DDR4内存模块可以在电压只有1.2伏特的情况下，达到2133MHz的运行速率，而且借助新的回路架构，DDR4可以上超3200MHz，三星说最终能达到4G。相较于DDR3，从低电压版的1.35V到正常电压的1.5V，在节能方面可以节省40%！
三星表示，这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“Pseudo Open Drain”(虚拟开漏极)技术，在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。
三星继成功研发出DDR、DDR2、DDR3内存后，现在又抢先推出DDR4，虽然DDR4的标准规格仍未定案，但是三星已经和多家内存厂商连手，帮助JEDEC固态技术协会“制订”DDR4的标准规格。JEDEC预计在2011年完成DDR4内存规范的制定工作，2012年开始商用，超过DDR3而成为主流规格则可能要等到2015年。
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