| 内存将改朝换代 现代东芝联合开发MRAM |
| 作者： 出处：创虹绣花网 更新时间： 2011年07月15日 |
目前无论是以怎样的形式以及形态，目前主要的内存技术还是以SDRAM技术为基础，很早前业界就有了想要推出更快更强力的内存解决方案来代替现有产品。目前现代与东芝宣布他们将联合开发新自旋注入方式磁电阻随机存取存储器（Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory），简称“MRAM”。
两家公司并非仅仅在技术开发方面进行合作，同样在生产方面也将互补协作。这样做两家公司不仅可以节省成本同样也可以减少开发周期使得产品能够更快的进驻市场。不过话说回来，距离真正的见到实物产品恐怕还要等很久很久。两家公司还在目前所生产的交叉产品供应等方面进行了协商。
如果开发成功的话，MRAM将会在很多方面完全超越SDRAM。首先MRAM是非易失性的，换言之它将可以像闪存芯片一样避免发生随电力消失后数据丢失的情况出现。同时在性能方面将优于SDRAM。也就是说它将可以应用于SSD固态硬盘以及其他硬盘驱动器的缓存方面，当然这一切的一切也都得看最后的价格如何，只要每GB的售价不是太高的话，未来前景也应该会非常不错。
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